オン抵抗

パワーMOSFETなど、パワー半導体素子の主要な性能指数である。値が小さいほうが高性能である。

オン抵抗が小さいと、その分電力の損失も少なく済む。

高耐圧と低損失を両立させるため、炭化珪素(SiC)を使った素子の開発が進められている。