半導体増幅素子の一つ。日本語では "電界効果トランジスタ" と訳されている。半導体理論で、多数キャリアのみを利用して動作することからバイポーラトランジスタに対比させて、ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
単一の種類(p型またはn型)の半導体でできたチャネル(channel)と呼ばれる電流の通り道があり、この両端からソース(source)、ドレイン(drain)という電極が出ている。このソース‐ドレイン間に流れる電流を、もう一つの電極であるゲート(gate)に加える電圧で制御でき、このゲート電極の構造によって接合型とMOS型に分けられる。なお "Nチャネル型" と "Pチャネル型" では動作中の電流の向きやゲート電極に加える電圧の極性が逆になる。
FETの特徴は、入力インピーダンスが高いこと、高周波特性が優れていることがあげられる。
日本のEIAJ規格統一型番名称では、Pチャネル型で2SJ、Nチャネル型で2SKという接頭辞が付き、その後に登録番号が続く。例えば2SK125など。MOS型でゲートを2つ持った4端子のデュアルゲートFETという物もあり、この場合は3SK48などという型番になる。
FET