高速不揮発性抵抗変化型メモリー。フラッシュメモリーより高速かつ省エネの不揮発性メモリーとして開発された。「PRAM」とも呼ばれるが、これはシャープの商標である。
エルピーダメモリやシャープなどが共同開発したもので、2012(平成24)年1月24日に開発に成功したと発表した。
試作品は50nmプロセスを用いた64Mビットのメモリセルアレイで、2013(平成25)年秋の製品化に向けて改良を続け、製品では30nmプロセスでギガビット級の量産を目指すとしている。
しかし2012(平成24)年2月27日、エルピーダメモリが会社更生法の適用申請をしたことから、以降は他社が積極的な技術開発を継続している。
世界で最初に量産を開始したのはパナソニックである。8ビットマイコンの内蔵ROMとして、180nmのCMOSプロセスで64Kiバイト(512Kiビット)の製品が製品化され、2013(平成25)年7月から量産が開始された。
メモリーセルは、FETにCMR膜を組み合わせた構造で、電圧を加えることで抵抗値を変化させる。
現在主流のフラッシュメモリーと比較して数多くの利点がある。
最初のReRAMは180nmプロセスで、0.4μm角程度である。
2012(平成24)年2月の国際会議ISSCCで発表された試作も、180nmプロセスで、4Miビットに高密度化されたが素子の大きさは0.38μm角であった。
2015(平成27)年6月16日に半導体の国際学会「VLSIシンポジウム」で発表された試作は、40nmプロセスで0.117μm角にまで縮小された。更に、28nmプロセスの製造技術を用いることも可能だとされた。この試作では、書き換え寿命は10万回、データ保持期間が10年間(温度85℃)であり、フラッシュメモリー相当かそれ以上の高い信頼性を確保している。
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不揮発性メモリー
