Ⅲ‐Ⅴ族化合物半導体

読み：さん・ごぞく・かごうぶつ・はんどうたい
品詞：名詞

Ⅲ族元素とⅤ族元素を用いた化合物半導体。

目次

概要

Ⅲ族/Ⅴ族は短周期表での族であり、現在の長周期表ではⅢ族は3族と13族、Ⅴ族は5族と15族が該当する。

実際に使われるのは13族と15族のみで、3族と5族は材料としての実用例はない。

特徴

元素

中でもよく使われる元素はそれぞれ次のとおりである。

種類

具体的な組み合わせとしては、次のようなものが知られている(順不同)。

  • 砒化ガリウム(GaAs)、別名ガリウム砒素
  • ガリウム燐(GaP)
  • インジウム燐(InP)
  • 窒化インジウムガリウム(InGaN)、別名ガリウム・インジウム・窒素(GaInN)
  • 窒化ガリウム(GaN)

窒素を含む化合物半導体は窒化物半導体と呼ばれており、中でも窒化ガリウムは有望な素材と考えられている。

用語の所属
半導体
化合物半導体
関連する用語
Ⅱ‐Ⅵ族化合物半導体
Ⅳ‐Ⅳ族化合物半導体
トップへ

広告

コメントなどを投稿するフォームは、日本語対応時のみ表示されます

KisoDic通信用語の基礎知識検索システム WDIC Explorer Version 7.04a (27-May-2022)
Search System : Copyright © Mirai corporation
Dictionary : Copyright © WDIC Creators club