DRAMを三次元構造とすることで高速化する技術。ハイブリッド・メモリー・キューブ。

概要

Hybrid Memory Cube Consortiumにより仕様が策定され、コンソーシアムを主導しているメモリーメーカー3社(Micron、Samsung、Hynix)の連名でアナウンスされた。

コンソーシアムからのアナウンスによれば、バンド幅は160Gバイト/秒と一般的なDRAMの15倍以上のスループットが得られるとされ、「DDR3とDDR4の直面する全ての問題を解決する」としている。

製品は2013(平成25)年第二半期より登場予定とされている。

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