LPDDR SDRAMの第三世代。
LPDDR2の後継の一つで、設計思想が従来技術LPDDR2の延長線にあるもの。対抗は、全く異なる思想で設計されたWideIOである。
LPDDR2からの主要な変更点は次の通り。
- 動作周波数の向上 ‐ 最大で800MHz(LPDDR2は最大533MHz)
- 最大容量の拡大 ‐ シリコンダイの最大容量は32Giビット(LPDDR2は最大8Giビット)
- 不揮発性メモリー仕様を廃止し、SDRAMのみを対象とする仕様とした
その他、LPDDR2との違いは次の通り。
- プリフェッチをLPDDR2の4ビットから8ビットに変更し、倍速でデータ入出力を可能とした。
- これに対応して、内部バス幅も、LPDDR2の128ビットから256ビットに拡大された。
- バースト長は、LPDDR2で4/8/16ワード選択制だったものを、8ワードで固定とした。
- 電源電圧はLPDDR2と同じで、コア電源1.2V、IO電源1.2V、ワード線ブースト電源1.8Vである。2電源必要な仕様は不評だったが、ここは変更されなかった。
- 入出力インターフェイスも、LPDDR2と同じHSUL_12(1.2V High Speed Un-terminated Logic)がそのまま使われる。
用語の所属
LPDDR SDRAM
