従来のDDR SDRAMと同等の技術を用い、かつ低電圧化したSDRAM。

目次 概要 特徴

概要

電源電圧は、DDR SDRAMの2.5V/2.6Vに対し、1.8V以下となっている。

電圧を下げることで消費電力を抑えることができ、主としてモバイル機器向けとして利用されている。スマートフォンなどで採用されている。

特徴

LPDDR2以降は動作電圧の他にブースト電圧という2電源が必要となっている。

• LPDDR SDRAM ‐ コア電源1.8V、IO電源1.8V
• LPDDR2 SDRAM ‐ コア電源1.2V、IO電源1.2V、ワード線ブースト電源1.8V
• LPDDR3 SDRAM ‐ コア電源1.2V、IO電源1.2V、ワード線ブースト電源1.8V
• LPDDR4 SDRAM ‐ (まだ未定)

LPDDR3は2013(平成25)年頃の主流と見込まれ、後継LPDDR4は2015(平成27)年頃の主流と見込まれる。

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