EDO DRAMの次の世代の主力メモリーとなった高速化DRAM。

最初にアクセスするアドレスを指定すると、そこから連続したアドレスの読み込みがマザーボードのクロックに同期して行なえるDRAM。一回一回アドレスを指定する必要が無い分、シーケンシャルアクセスについては普通のDRAMより高速になる。

但し、SDRAMではメモリーアクセス要求をしてから実際のデータが出力されるまで、概ね6クロック程度が必要である。つまり "RAS-to-CAS Delay" と "CASレイテンシー" を合わせた時間が最低必要で、更にデータ転送に4クロック(通常の4ワードのバースト転送の場合)、そしてDRAMではデータを読み出すとデータが消えてしまうので、書き戻すプリチャージに2クロックを要し、計12クロックが最低必要である。

SDRAMの後継に、転送速度を倍速化したDDR SDRAMがあるが、ここで高速化されるのはデータ転送時間だけなので、転送時間が4→2クロックに減るのみであり、アクセス時間は10クロックにしかならない。

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関連する用語
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VC SDRAM
DRAM
CASレイテンシー

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