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| スピン注入メモリー |
| 辞書：科学用語の基礎知識 電子部品編 (NELECP) |
| 読み：スピンちゅうにゅうメモリー |
| 外語：STT-RAM: Spin Torque Transfer |
| 品詞：名詞 |
電子スピンで生じた磁界変化を用いて磁化方向を変更し、情報を記録する不揮発性メモリー。
| 概要 |
2010(平成22)年現在、活発に研究開発が進められているメモリーである。
情報は磁化の方向で記録されるが、これを電子のスピンによって生じる磁場(磁界)を利用して変更する。
電源を切ってもデータは消えず、かつ読み書きの速度はDRAMに匹敵するなど、利点が多い。
速度が遅く、しかも使いにくいフラッシュメモリーの代替となることが期待されている。
| リンク |
不揮発性メモリー
MRAM
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