フラッシュメモリーの一種。NANDフラッシュメモリーとも。

目次 概要 特徴 種類 性質

概要

1987(昭和62)年に東芝により開発されたフラッシュメモリーである。

それまでのNOR型フラッシュメモリーと比較し、信頼性は劣るものの消去や書き込みなどが高速で、また回路もコンパクトで大容量化に向いている。一方、消去はブロック単位でしかできないため、ランダムアクセスには向いていない。

データ記録用に向いており、現在、民生用製品に用いられているものは、殆どがこのNAND型フラッシュメモリーとなっている。

特徴

種類

NAND型フラッシュメモリーも改良が進み、現在では次の二種類に分けられている。

• SLC (Single Level Cell)
• MLC (Multi Level Cell)

一つのセルに1ビット記録するものがSLCで、2ビット(以上)記録するものがMLCである。

性質

NAND型フラッシュメモリーは独特の性質を持っており、このためやや使いにくい。

• 消去はブロック単位
• 書き込みはページ単位
• 読み出しもページ単位

1ページの大きさは製品ごとに異なるが、2Kiバイト前後が多い。そして、消去単位であるブロックは64ページ程度と大きめに設定されていることが多いようである。

また、書き込みだけでなく読み出しもページ単位であるため、従来のROMのようにここにプログラムを置いて直接CPUで実行することができない。必ず一旦RAMなどに複写する必要がある。このような用途ではNOR型フラッシュメモリーが使われることが多い。

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用語の所属
フラッシュメモリー
関連する用語
ONFI
NOR型フラッシュメモリー

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