ダイオードの一種。通常のダイオードがP層とN層の2層構造であるのに対し、中間層としてI層と呼ばれる真性半導体層を持つため3層構造となっている。PINダイオードの名はこの構造に由来する。
I層は真性半導体とは言うものの、実際には不純物濃度が低いn型半導体である。これは、純粋な真性半導体では抵抗値が大きすぎて電流を流すことが困難なためである。もっとも、一般に用いられているN型半導体に比べれば真性半導体に近い特性であるため、便宜上こう呼ばれている。誤解を避けるために高抵抗ベース層と呼ぶこともある。
I層の存在により、PNダイオードよりも順方向電圧降下が若干大きくなるが、逆方向阻止電圧が高い素子を作ることができる。一般にPINダイオードの順方向電圧降下は約1〜1.5V程度である。