半導体増幅素子の一つ。日本語では「電界効果トランジスタ」と訳されている。

目次 概要 特徴 電極 p型とn型 EIAJ

概要

半導体理論で、多数キャリアのみを利用して動作することから、バイポーラトランジスタに対比させて「ユニポーラトランジスタ」とも呼ばれる。

FETは、入力インピーダンスが高いこと、高周波特性が優れていることが挙げられる。

特徴

電極

FETの電極は3種類ある。

• ゲート(Gate)
• ソース(Source)
• ドレイン(Drain)

通常は各種1端子ずつで計3端子のFETとなるが、複数端子出ているものもある。

p型とn型

単一の種類(p型またはn型)の半導体でできたチャネル(channel)と呼ばれる電流の通り道があり、この両端からソース(source)、ドレイン(drain)という電極が出ている。

このソース‐ドレイン間に流れる電流を、もう一つの電極であるゲート(gate)に加える電圧で制御でき、このゲート電極の構造によって「接合型FET」と「MOSFET」に分けられる。

FET

なお「Nチャネル型」と「Pチャネル型」では動作中の電流の向きやゲート電極に加える電圧の極性が逆になる。

EIAJ

日本のEIAJ規格統一型番名称では、Pチャネル型で2SJ、Nチャネル型で2SKという接頭辞が付き、その後に登録番号が続く。例えば2SK125など。

MOS型でゲートを2つ持った4端子のデュアルゲートFETというものもあり、この場合は3SK48などという型番になる。

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用語の所属
半導体
トランジスタ
関連する用語
接合型FET
MOSFET
ユニポーラトランジスタ
バイポーラトランジスタ

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