III族元素とV族元素を用いた化合物半導体。

目次 概要 特徴 元素 種類

概要

III族/V族は短周期表での族であり、現在の長周期表ではIII族は3族と13族、V族は5族と15族が該当する。

実際に使われるのは13族と15族のみで、3族と5族は材料としての実用例はない。

特徴

元素

中でもよく使われる元素はそれぞれ次のとおりである。

• 13族
  • アルミニウム(Al)
  • ガリウム(Ga)
  • インジウム(In)
• 15族
  • 窒素(N)
  • 燐(P)
  • 砒素(As)
  • アンチモン(Sb)

種類

具体的な組み合わせとしては、次のようなものが知られている(順不同)。

• 砒化ガリウム(GaAs)、別名ガリウム砒素
• ガリウム燐(GaP)
• インジウム燐(InP)
• 窒化インジウムガリウム(InGaN)、別名ガリウム・インジウム・窒素(GaInN)
• 窒化ガリウム(GaN)

窒素を含む化合物半導体は窒化物半導体と呼ばれており、中でも窒化ガリウムは有望な素材と考えられている。

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用語の所属
半導体
化合物半導体
関連する用語
II‐VI族化合物半導体
IV‐IV族化合物半導体

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