真空管

誕生の経緯は、1883(明治16)年にトーマス・エジソンが「エジソン効果」と呼ばれる現象を発見したことに端を発する。

これは電球の中に金属板(プレート)を入れると、高温のフィラメントから電子が飛び出すことで、プレートとフィラメント間に電圧をかけると電流が流れるというもの。

高温になっていないと電子は飛び出さないので、逆方向には流れない。これをそのまま利用して整流などに使えるようにした「二極真空管」が 1904(明治37)年にフレミングの手によって誕生した。

その2年後の1906(明治39)年、プレートとフィラメントの間にグリッドという金網状の電極を入れ、これに負の電圧をかけて変化させると、プレート‐フィラメント間の電流を大きく変化させられることを発見し、初めての増幅作用を持つ素子「三極真空管」が誕生した。これはド・フォレストの手による。

真空管誕生後、その増幅作用を利用した各種回路方式が次々と発明され、電子工学の夜明けを迎えることとなった。

現在トランジスタ回路やIC内部で採用されている基本的な回路方式の殆どは、この真空管時代に考え出されたものである。真空管は後に半導体素子に取って代わられることになるが、1970年代初頭(昭和40年代中半)までは各種機器に第一線で使われた。

初期の電子計算機は真空管を何千本も使って作られていた。コンピューター用に設計された真空管も存在する。