1T-SRAM

MoSysが1998(平成10)年に発表したSRAMインターフェイスを持ったDRAM。言うなれば疑似SRAM。ニンテンドーゲームキューブで採用されたため注目を集めることになった。

1T-SRAMの内部はDRAMであり、一般的なDRAMと同様にキャパシタ(コンデンサー)と1個のトランジスタで構成されるが、外部からはSRAMとして利用できる。1T-SRAMは一般的なSRAMの数倍の高密度化(DRAM並)が可能で、かつ一般的なSRAMの1/4の低消費電力を実現している。

メモリー内部は256ビット/256MHzのマクロバスで接続された数百〜千個のマルチバンク構成になっており、各バンク毎にリフレッシュコントローラーがあり自動的にリフレッシュを実行する。また1バンク分のキャッシュが用意されていて、アクセスとリフレッシュが競合することもなく、リフレッシュに起因する遅延もない。

1T-SRAMはSRAMと同様、アドレスを指定した次のサイクルでデータにアクセス可能なため、4ワードのアクセスに対して5サイクルで済む。メモリークロックとバス幅が同じとするとSDRAMに対し倍速以上の違いとなり、1ワード単位の遅延のみで比較すれば6倍差となる。

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