MOSFET

FETは、ソース(S)とドレイン(D)の間に流れる電流を、ゲート(G)の電圧で制御する部品であり、MOSFETはスイッチとして使われる。

PチャネルでもNチャネルでも、G‐S間に所定の電圧を掛けるとゲート直下の層が変化しDとSの間に電流が流れることが可能になる。これが「MOSFETがONになった状態」である。

G‐S間にかけるべき電圧はチップごとに規格値が決められており、これがしきい値(V_TH)である。

NチャネルMOSFETなら電子が、PチャネルMOSFETなら正孔が電流を運ぶため電流の流れが逆になること、正孔は電子よりも電流が流れにくいため同じチップサイズならPチャネルはON抵抗が大きい、という差がある。

NチャネルMOSFETは、G‐S間にプラスの電圧を掛けるとゲート直下のP層がNに反転し、それぞれの層がN→N→Nの経路で接続される。

これにより、D→Sに電流(電子はS→D方向)が流れる。

PチャネルMOSFETは、G‐S間にマイナスの電圧を掛けるとゲート直下のN層がPに反転し、それぞれの層がP→P→Pの経路で接続される。

これにより、S→Dに電流(正孔の方向も同じ)が流れる。