スピン注入メモリー

読み:スピンちゅうにゅうメモリー
外語:STT-RAM: Spin Torque Transfer 英語
品詞:名詞

電子スピンで生じた磁界変化を用いて磁化方向を変更し、情報を記録する不揮発性メモリー

2010(平成22)年現在、活発に研究開発が進められているメモリーである。

情報は磁化の方向で記録されるが、これを電子のスピンによって生じる磁場(磁界)を利用して変更する。

電源を切ってもデータは消えず、かつ読み書きの速度はDRAMに匹敵するなど、利点が多い。

速度が遅く、しかも使いにくいフラッシュメモリーの代替となることが期待されている。

用語の所属
不揮発性メモリー
関連する用語
MRAM
フラッシュメモリー

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