相変化メモリー

相変化させるには数十nsから数百nsの時間を要する。

これはDRAMなどと比較すると遅いが、フラッシュメモリーなどと比較するとはるかに高速であることから、現在の主流であるNAND型フラッシュメモリーを置き換える次世代の不揮発性メモリーとして改良が進められている。

一つのメモリーセルは、カルコゲナイドで作られた記憶素子と、セルを選択するための素子(トランジスタまたはダイオード)で構成される。

この構造は、キャパシターとセル選択素子で構成されるDRAMとほぼ同様であり、DRAMと同様の面積で同様の記憶容量を実現できる。

またダイオードならトランジスタよりも小型に作ることができることから、DRAMを越える集積密度も実現できる。

相変化メモリーは、加熱と冷却で相変化させて記録するので、温度変化に弱い。

一般的なカルコゲナイドの素材は2-2-5と呼ばれるGe₂Sb₂Te₅で、85℃で保証10年といった製品があるが、これを100℃で煮沸すれば恐らく故障する。

耐熱性を高め、90℃ならほぼ無限、200℃程度で10年保証と、燃やさない限りはデータが保持されうる製品もHynix Semiconductorによって開発されている。この高耐熱性の素材については詳細は定かではない。