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NAND型フラッシュメモリーの電気的インターフェイスの標準化を目指す業界団体と、そこで策定された仕様。
従来のフラッシュメモリーは、大まかな構造は同じでもインターフェイスに標準がなく、また速度も決して速いものではなかった。
そこでONFIでは、最高で400Mバイト/秒を実現するべく、技術開発が進められることとなった。
ONFI 3.0からは、従来のDDR 200(200MT/秒)の倍速となるDDR 400(400MT/秒)となった。
400MT/秒で速度は400Mバイト/秒となる。
また、少ないピン数で使えること、誤り訂正機能EZ-NANDインターフェイスに対応することなどを特徴としている。
NV-DDR3インターフェイスで1.2V動作に対応。
NV-DDR2とNV-DDR3で、667MT/秒と800MT/秒の速度になった。加えて、DDR3から導入されたZQキャリブレーション機能に対応した。
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