メモリスター

抵抗器、コンデンサー、コイル(インダクター)に続く「第4の回路素子」とも呼ばれ、1970年代にその存在が理論的に予言された。

過去の電流量を記憶(メモリー)する抵抗器(レジスター)から、メモリスターと命名された。

2008(平成20)年、米Hewlett-Packard(HP)が二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスターを開発した。

記憶素子としては不揮発性メモリーとして利用することができる。不揮発性メモリーとして一般的なフラッシュメモリーと比較すると、FET(電界効果トランジスタ)であるフラッシュメモリーよりも高速かつ低消費電力というメリットがあり、また面積あたりの容量もフラッシュメモリーより多くする事ができる。揮発性であるDRAMと比較しても、メモリスターの方が安価で省電力である。

2010(平成22)年4月、HPは、メモリスターが論理演算器として利用することも可能と発表した。記憶装置と演算器を同一デバイスとすることも可能。